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设备特点
适用于4/6/8寸晶圆的先进封装/chiplet 等工艺/SOI衬底减薄抛光工序
*厚可对应晶圆厚度在1800um(bonding wafer)
薄可将晶圆加工至10um, 同时保持TTV≤1.5um
可追加晶圆化学清洗模组，保证晶圆的表面洁净度满足fab工艺
可配置MES协议转换模块SECS/GEM标准配置
抛光部分终点检测功能，精确控制*终厚度
Polish head支持3zone/5zone
可针对各类化合物半导体/第三代半导体的减薄/抛光
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