参考价格
面议型号
LP-CVD多晶 掺杂多晶炉品牌
赛瑞达产地
江苏样本
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-最高温度:
800 ℃额定温度:
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优势
◆快速的工艺认证,可以极高的提升生产
◆专业的高效电池制造
◆良好的膜厚均匀性,较长的恒温区
◆更大的正常运行时间和更低的成本,良好的服务和支持确保了长期**的生产能力
◆Ivoc:>740mV(钝化后)
主要特点
◆产能:2200~2880pcs/管
◆管数:5管/6管
◆硅片尺寸:182-230mm硅片
◆压力控制:APC控制
◆系统控制:PLC和PC控制基础
◆通讯:Melsec,MES,I/O,SECS-II等
◆自动化集成:用于客户优化和MES控制集成的全自动化解决方案
◆运行时间:97%
硬件规格
◆**温度:800℃
◆温度均匀性:500℃~700℃±0.5℃
◆晶圆装载法:碳化硅悬臂桨
工艺规范
◆膜厚:1000A~3000A
◆厚度均匀性:<5%(片内/片间/批间均匀性)
◆未掺杂多晶硅(硅烷)
◆N型掺杂多晶硅PH3
◆P型掺杂多晶硅B2H6
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