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技术特点
●加工碳化硅晶锭(**厚度 3000mm)、带框架的异可加工碳化硅晶锭(**厚度 50000μm)、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片;磨轮直径 Φ300mm,**减薄速率 0.9μm/s, 单片磨削时间< 5 分钟;
●双主轴三工位自动减薄机,在线测量方式(测量范围0-1800μm)/ 离线测量方式(测量范围 0-50000μm)可选;通过手动进行上片、卸片操作和油石手动清洗承片台。
性能指标
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