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介绍：砷化镓（GaAs）是一种III-V族化合物半导体，具有直接能隙（1.43 eV）、高电子迁移率和优异的高频特性。其高速、低噪声和抗辐射性能使其成为微波射频、光电子和功率器件的重要材料。
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应用：砷广泛用于射频和微波器件，如5G通信芯片、雷达系统和卫星通信设备。它还应用于光电子领域，如激光器、光探测器和高效太阳能电池，适用于高速光通信和航天应用。
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砷化镓单晶衬底晶片（2~8inch ） | |||||
直径 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm |
厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 675μm | 675μm |
表面晶向 | (100) 15.0˚± 1.0˚ off toward (111) | <100>±1.0° | |||
主定位边晶向 | EJ<0-1-1>±1.0° | ||||
主定位边长度 | 12mm | 22mm | 32mm | Notch | Notch |
次定位边晶向 | EJ<0-1 1>±1.0° | N/A | N/A | ||
次定位边长度 | 7mm | 12mm | 18mm | N/A | N/A |
正面状态 | Epi-polished | ||||
反面状态 | SSP:Etched; DSP:Epi-polished | ||||
总厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm |
弯曲度BOW | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤25μm | ≤40μm |
翘曲度WARP | ≤15μm | ≤20μm | ≤25μm | ≤30μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤3 mm | ||||
应用 | LED应用 | LD激光应用 | 半导体,微电子芯片 | ||
导电类型 | N-Ttpe | N-Ttpe | Insulating | ||
掺杂元素 | Si-doping | Si-doping | Undoped | ||
电阻率 | (1~9）E-3ohm-cm | (1~9）E-3ohm-cm | ＞1E7ohm-cm | ||
位错密度(EPD) | ＜5000/cm2 | ＜500/cm2 | ＜5000/cm2 | ||
载流子浓度(CC) | (0.4~5）E18/cm3 | (0.4~2.5）E18/cm3 | N/A | ||
电子迁移率(Mobility) | ＞1000cm2/v.s | ＞1500cm2/v.s | ＞4000cm2/v.s | ||
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砷化镓单晶衬底晶片（2~8inch ） | |
晶体结构 | 立方晶体 |
禁带宽度(eV) | 1.42eV |
熔点（℃） | 1238℃ |
莫氏硬度(mohs) | 5.6 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 0.55W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 5.8×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.5652 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 8500 |
击穿电场(MV·cm-1) | 4 |
JFM指数（power） | 11 |
BFM指数(SW) | 28 |
BHFM指数(RF) | 16 |
折射率 | 3.24~3.33 |
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