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介绍：二氧化硅（SiO₂）是一种常见的无机化合物，主要以石英、玻璃和硅胶等形式存在。它具有高硬度、高熔点（约1713℃）、优异的化学稳定性和良好的绝缘性能。
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应用：二氧化硅（SiO₂）广泛应用于半导体、光通信、玻璃和陶瓷等领域。它在电子工业中作为硅片的氧化层、绝缘介质和CMP抛光材料，在光通信中作为光纤的主要材料，并用于制造光学玻璃和防反射涂层。此外，SiO₂还用于耐火材料、催化剂载体、食品添加剂和药物载体，发挥其优异的化学稳定性和耐热性。
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二氧化硅衬底（2~12inch） | ||||||
直径 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm | 300mm |
厚度 | 400μm | 400μm | 500μm | 625 μm | 725μm | 775μm |
表面晶向 | <100> ∣ <111> ∣ <110> | |||||
掺杂类型 | N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) | P-type(B-Doping) | Intrinsic | |||
定位边长度 | 16mm | 22mm | 32mm | 47.5mm | Notch | Notch |
正面状态 | Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
反面状态 | SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
氧化类型 | 单面氧化 ∣ 双面氧化 | |||||
氧化层厚度 | 50nm | 100nm | 300nm | 500nm | 1000nm | 2000nm |
总厚度偏差TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm |
弯曲度BOW | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm |
翘曲度WARP | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||
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单晶硅 Si | |
晶体结构 | 金刚石立方晶体 |
禁带宽度(eV) | 1.12eV |
熔点（℃） | 1414℃ |
莫氏硬度(mohs) | 7 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 1.5W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 2.5×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.5431 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 1350 |
击穿电场(MV·cm-1) | 0.3 |
JFM指数（power） | 1 |
BFM指数(SW) | 1 |
BHFM指数(RF) | 1 |
折射率 | 3.5 |
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