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介绍：硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延是在硅衬底上生长氮化镓薄膜的技术，结合了GaN的高性能和硅衬底的低成本优势。
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应用：用于高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动的功率电子器件；适用于5G基站、雷达和卫星通信等射频器件；用于高亮度LED，提升发光效率等。
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硅基氮化镓外延衬底Tempalte（2~8inch） | ||||
衬底直径 | 50.8mm | 100mm | 150mm | 200mm |
硅衬底厚度 | 1000μm | 1000μm | 1000μm | 1150μm |
硅衬底表面 | Polished/Etched | |||
硅衬底晶向 | P(111) | |||
外延导电类型 | N-type | P-type | UID | |
外延掺杂元素 | Si-doping | Mg-doping | Undoped | |
外延层厚度 | ＜5 um | |||
外延层厚度均匀性 | ≤5% | |||
外延层表面 | RMS＜2nm | |||
外延结构图 | ||||
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