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| 碳化硅导电特殊晶型单晶衬底(6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | ||||
| 直径 | 10*10 mm | 50.8mm | 100mm | |
| 厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | |
| 晶型 | 6H-N ∣ 4H-P ∣ 6H-P ∣3C-N | |||
| 表面晶向6H-N/4H-P/6H-P | Off axis: 0.0°- 8.0° toward <11-20> ± 0.5° | |||
| 表面晶向3C-N | On axis : <0001>±0.5° | |||
| 电阻率6H-N/4H-P/6H-P | ≤ 0.5 Ω ·cm | |||
| 电阻率3C-N | ≤ 1.0 mΩ ·cm | |||
| 正面状态 | Si-Face:CMP,Ra<0.5nm | |||
| 反面状态 | C-Face:Optical Polish,Ra<1.0nm | |||
| 镭刻码面 | Back side :C-Face | |||
| 总厚度偏差TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm | |
| 弯曲度BOW | ≤15μm | ≤25μm | ≤25μm | |
| 翘曲度WARP | ≤30μm | ≤30μm | ≤40μm | |
⠀
| 碳化硅单晶 Silicon carbide | |
| 晶体结构 | 六方晶体 | 
| 禁带宽度(eV) | 3.26eV | 
| 熔点(℃) | 2730℃ | 
| 莫氏硬度(mohs) | 9.2 | 
| 热导率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 | 
| 热膨胀系数(℃-1) | 4.7×10-6 | 
| 晶格常数(nm) | a=0.3076 c=0.5048 | 
| 电子迁移率(cm-2·V-1·s-1) | 720a 650c | 
| 击穿电场(MV·cm-1) | 3.1 | 
| JFM指数(power) | 410 | 
| BFM指数(SW) | 290 | 
| BHFM指数(RF) | 34 | 
| 折射率 | 2.6767~2.6480 | 
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