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介绍：硅片的原始材料是高纯度的多晶硅，经过一系列复杂的加工工艺，包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成，以满足半导体芯片制造的要求。
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应用：硅片广泛用于集成电路（IC）、功率半导体、传感器和光电子器件，是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机、5G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步，硅片在高性能计算（HPC）和光通信中发挥着重要作用。
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单晶硅衬底（2~12英寸） | ||||||
直径 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm | 300.mm |
厚度 | 400μm | 400μm | 500μm | 625μm | 725μm | 775μm |
表面晶向 | <100> ∣ <111> ∣ <110> | |||||
生长方式 | CZ ∣ FZ | |||||
掺杂类型 | N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) | P-type(B-Doping) | Intrinsic | |||
定位边晶向 | 16mm | 22mm | 32.5mm | 47.5mm | Notch | Notch |
电阻率 | 0.001-0.005ohm-cm | 1-100ohm-cm | ＞10000ohm-cm | |||
正面状态 | Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
反面状态 | SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
总厚度偏差TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm |
弯曲度BOW | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm |
翘曲度WARP | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||
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单晶硅 Si | |
Growth Method | CZ/FZ |
Crystal Structure | Diamond |
Lattice Constant(nm) | a=5.4305Å |
Density(g/cm3) | 2.329 |
Melting point | 1410℃ |
Mohs Hardness(mohs) | 7 |
Dielectric Constant | 11.8 |
Band Gap(eV) | 1.1 |
Breakdown Electrical Field ((MV/cm)) | 0.3 |
Thermal Conductivity(n-type）(W/cm.K ) | 1.48 |
Electron Mobility(cm2·V-1·s-1) | 1480 |
热膨胀系数 | 2.6×10^-6 /℃ |
折射率 | 3.5 |
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