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技术特点：
● 可加工碳化硅晶锭（**厚度 5000mm）、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片；磨轮直径 Φ300mm，**减薄速率 0.9μm/s, 单片磨削时间＜ 5 分钟；
● 单主轴单工位自动减薄机，在线测量方式（测量范围0-1800μm）/ 离线测量方式（测量范围 0-50000μm）可选；通过手动进行上片、卸片操作和油石手动清洗承片台。
性能指标：
| WG-1250自动减薄机 | |||
| 磨削方式 | In-feed grinding with wafer rotation通过旋转晶圆，实现纵向切入式磨削 | ||
| 结构方式 | 1根主轴, 3个承片台,1回转工作台 | ||
| 磨削尺寸 | mm | Max.Ø200(Φ4″-Φ8″) | |
| 磨轮直径 | mm | Φ300 | |
| 主轴 | 类型 | - | 高频电机内装式空气主轴 |
| 主轴数量 | - | 2 | |
| 定额功率 | KW | 7.5 | |
| 主轴转速 | mm | 1000-4000 | |
| Z轴分辨率 | µm | 0.1 | |
| 承片台 | 装片方式 | - | 真空吸附 |
| 承片台类型 | - | 多孔陶瓷式 | |
| 转速 | rpm | 0-300 | |
| 承片台数量 | 套 | 3 | |
| 承片台清洗方式 | - | 油石手动清洗 | |
| 减薄精度 | 片内厚度偏差 | µm | ≤2 |
| 片间厚度偏差 | µm | ≤±2 | |
| 表面粗糙度Ra | nm | ≤3(#30000 wheel,SiC) | |
| 设备 | 外形尺寸WxD×H | mm | 1446×1860×1875 |
| 设备重量 | kg | 3800 | |
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