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GaN 6寸/8寸外延炉
EPIREVO G8是日本株式会社东芝的子公司纽富莱（NuFlare）的主要产品之一。
EPIREVO G8通过在在200㎜Si衬底上高质量的高速成膜，
从而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD装置，为实现低碳社会做出贡献。
高生产性
GaN膜能够达到9µm/hour以上的高速生长
能够达到200℃/minute以上的高速升温
高品质
200mm晶片面内2度以内的**温度分布
低成本
TMG可以达到20%以上的高利用率
In-Situ清洁功能带来的高生产效率
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