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导电特殊晶型
导电特殊晶型

参考价格

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型号

导电特殊晶型

品牌

晶沐光电

产地

江苏

样本

暂无
江阴晶沐光电新材料有限公司

高级会员

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第1年

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产品规格书


碳化硅导电特殊晶型单晶衬底(6H-N/4H-P/6H-P/3C-N)

直径

10*10 mm

50.8mm

100mm

厚度

350μm

350μm

350μm

晶型

6H-N ∣ 4H-P ∣ 6H-P ∣3C-N

表面晶向6H-N/4H-P/6H-P

Off axis: 0.0°- 8.0° toward <11-20>  ± 0.5°

表面晶向3C-N

On axis : <0001>±0.5°

电阻率6H-N/4H-P/6H-P

≤ 0.5 Ω ·cm

电阻率3C-N

≤ 1.0 mΩ ·cm

正面状态

Si-Face:CMP,Ra<0.5nm

反面状态

C-Face:Optical Polish,Ra<1.0nm

镭刻码面

Back side :C-Face

总厚度偏差TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

弯曲度BOW

≤15μm

≤25μm

≤25μm

翘曲度WARP

≤30μm

≤30μm

≤40μm

产品性能表


碳化硅单晶 Silicon carbide

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.26eV

熔点(℃)

2730℃

莫氏硬度(mohs)

9.2

热导率(W·cm-1·℃-1)

4.9W·cm-1·℃-1

热膨胀系数(℃-1)

4.7×10-6

晶格常数(nm)

a=0.3076 c=0.5048

电子迁移率(cm-2·V-1·s-1

720650c

击穿电场(MV·cm-1)

3.1

JFM指数(power)

410

BFM指数(SW)

290

BHFM指数(RF)

34

折射率

2.6767~2.6480


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产品质量

10分

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10分

易用性

10分

性价比

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