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产品介绍:
用于6吋&8 吋的 SiC 晶体生长,装载 SiC粉料和支撑反应腔室
适用机型:
第三代半导体 SiC 长晶炉
产品参数:
基材:等静压石墨(纯度>6N)
特点:纯度高,高导热,传热均匀性好
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