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♦ LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜，LPCVD过程是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大，使生长的薄膜均匀性好，此外基片可以竖放使得设备装片量大，特别适用于工业化生产
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