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一、产品概述：
液封直拉法（LEC）技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
二、主要特点：
1. 我公司可制作大规格坩埚（**直径12inch，**高度17inch）；
2. 纯度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的热导率是c方向的20倍以上，有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
三、产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。
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