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产品详情：
上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。
技术参数
| QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备) | |
| 高真空腔体 HV Chamber | 2个HV腔室，Loadlock离子束刻蚀及蒸镀，极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr |
| 排气速率Pumping Spead | 从ATM到8E-7Torr<15min (loadlock) |
| 极限蒸发速率 High Depostion Rate | 5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性<3%, 大容量坩埚 |
| 精准的样品冷却控制 Wafer Cooling | -10-40℃ (精度±0.1） |
| 离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性<3% |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
测试结果
产品详情：上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。
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