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双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P
磁控溅射技术原理
在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子*终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。
磁控溅射技术特点
成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜
技术参数
| QBT-P 技术参数 Technical Specifications （超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备） | |
| 超高真空腔体 UHV Chamber | 2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr |
| 排气速率Pumping Spead | 从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock) |
| 基板加热 Wafer Heating | RT-900oC |
| 离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性<3% |
| 磁控溅射Sputtering | DC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
| 基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能力 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
工艺展示
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