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产品描述:SiC晶圆腐蚀后的位错检测设备。设备采用微分干涉相差的光学显微成像技术,可进行全片扫描并采集完整数据,计算并自动统计位错数量与密度,生成位错密度图。
产品参数:
应用范围:SiC衬底切割片、研磨片、抛光片的位错检测分析(经KOH腐蚀)
可测晶片尺寸:标准4,6,8英寸及其它非标尺寸
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性价比
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