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低压ISSG设备因其超高的薄膜质量及1/100 纳米的膜厚控制精度广泛应用于40、28nm以及28nm以下栅极氧化物和浅槽隔离 liner的生长；解耦等离子体氮化及退火工艺可以降低栅极漏电密度并改善NBTI特性，也在先进的逻辑和存储技术前道工艺中得到应用。
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