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退火炉主要用于晶体或是晶片在真空环境中的退火工艺环节，消除晶体或晶片内部应力或缺陷，从而提高晶体或晶片加工性能和品质。
性能优势
1、腔体内部经镜面抛光，减少氧化物附着，具有高真空获得能力与长时间保压能力，可以实现自动工艺方式；
2、控温精度可达±0.5℃，实现横向和纵向的温度梯度均≤0.5℃/cm。
晶体尺寸 6 ~ 12英寸
工艺 退火处理
加热方式 电阻式
基本参数 主机尺寸 根据选型对应不同尺寸
整机重量 约2.2 ~2.7T
支持系统 电 源 容 量 25kVA
电 压 AC380V, 3P, 50Hz
冷 却 水 压 力 0.35~0.5MPa
流 量 ＞120L/min
工艺气体 压 力 ＞0.2MPa
压缩空气 压 力 0.5 ~ 1.0MPa
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