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该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、 分立器件、电力电子、光电器件等行业的氧化、扩散、退火、合金等工艺。
晶片尺寸：6/8英寸
Wafer size: 6/8 inches
ウェハーサイズ：6/8インチ
制程温度范围：300°C-1250°C
Process temperature range: 300°C-1250°C
プロセス温度範囲：300℃-1250℃
批次片数: 100-150片
Batch capacity: 100-150 pcs
バッチ数：100-150枚
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