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泽攸科技ZEL304G电子束光刻机（EBL）采用场发射电子枪，配合一体化的高速图形发生系统实现对半导体晶圆的高速、高分辨光刻。该系统标配高精度激光干涉样品台，允许用户实现大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半导体、微电子、光子、量子研究领域发挥重要作用。
产品特色
▲ 激光干涉样品台：先进的激光干涉样品台，满足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 场发射电子枪：高分辨场发射电子枪是光刻质量的重要保证
▲ 图形发生器：在保证超高速扫描的同时实现超高分辨率图案绘制
样品台指标
▲ 标配：激光干涉样品台
▲ 样品台行程：≥105 mm
▲ 拼接精度：优于50nm（平均值+ 1σ）
▲ 套刻精度：优于50nm（平均值+ 1σ）
电子枪及成像指标
▲ 肖特基场发射电子枪：加速电压20V~30kV；旁侧二次电子探测器和镜筒内电子探测器
▲ 图像分辨率：≤1 nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1 kV
▲ 束流密度：> 7000A/cm2；电子束流≥100nA
▲ *小束斑尺寸：≤2nm
光刻指标
▲ 电子束闸：上升沿<100ns
▲ 写视场：≥500×500 um
▲ *小单次曝光线宽：＜15nm（同时取决于工艺条件）
▲ 扫描速度：≥20MHz
图形发生器参数
▲ 控制核心：高性能FPGA
▲ 停留时间*小增量：10ns
▲ **扫描速度：50MHz
▲ 图形文件格式：GDSII、DXF、BMP等
▲ D/A分辨率：20位
▲ 法拉第杯束流测量：包含
▲ 支持的写场大小：50um~500um
▲ 临近效应校正：可选项
▲ 束闸支持：5V TTL
▲ 激光干涉位移台：可选项
▲ 扫描方式：顺序扫描（Z型）、循环扫描（S型）、螺旋型扫描等多种矢量扫描模式
▲ 曝光模式：支持场校准、场拼接，支持套刻，支持多图层自动曝光
▲ 外接通道支持：支持电子束扫描、工件台移动、束闸通断、二次电子检测
选配附件
▲ 配套UPS不间断电源
▲ 配套主动减震台，*低自然频率2Hz
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