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快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)
生产商：韩国Ecopia
RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。
性能和特点：
- 温度范围：室温 ~ 1500°C;
- 升温速度：200°C/s;
- 气体混合能力(带有质量流量计);
- 真空度：~10-6Torr;
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