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| 产品介绍及用途： | 放置19片2吋衬底，用于生长深紫外LED的外延片 |
| 产品所处设备位置： | 反应腔内，直接接触晶圆 |
公司通过工艺改进提升、新产品研发等手段挖掘市场需求，坚持开发一代、储备一代、销售一代的发展战略，积极开展外延、刻蚀、氧化扩散和晶体生长等半导体设备用实体碳化硅零部件、烧结碳化硅零部件和碳化钽涂层石墨零部件等新产品研发，并陆续进入试制、验证阶段。公司致力于成为全球半导体设备零部件、材料领域的一流企业，持续推动半导体关键碳化硅零部件的技术进步。
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