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| 项 目 (Item) | 标 准 (Spec) | ||
| 电学性能 electronic characters | |||
| 导电类型（type） | P型(B dopant) | N型（P dopant） | |
| 电阻率（resistivity annealed）（Ω·cm） | 1.0～3.0 | 0.2~2.0;0.8~5;1~15;(custom as required) | |
| 电阻率不均匀性(inhomogeneity of resistivity) | ≤15% | ≤25% | |
| 硅片少子寿命(lifetime)（μs） | ≥10.0 | ≥500.0 | |
| 氧含量(oxygen)（ppma） | ≤20 | ||
| 碳含量(carbon)（ppma） | ≤1 | ||
| 晶体结构 crystal structure | |||
| 晶向(orientation) | o | ||
| 缺陷(swirl and OSF-ring) | 无（none） | ||
| 位错密度(dislocation density)（cm-2） | ≤3000 | ||
| 表面质量 appearance | |||
| 硅落、V缺口、孪晶、裂纹、沾污、针孔 （crack, V-shape，twin， stain,pinhole） | 无（none） | ||
| 崩边(edge chips)（mm） | ≤0.5*0.3, no more than 2/wafer | ||
| 线痕(saw marks)（μm） | ≤15.0 | ||
| 弯曲度(bow)（μm ） | ≤50.0 | ||
| 翘曲度(warp)（μm ） | ≤50.0 | ||
| 硅片尺寸 dimension | |||
| 边长&直径(length and diameter)（mm） | 156.75 | 210 | |
| 硅片厚度(thickness)（μm） | 180 | 200 | |
| TV（μm） | 200 | ±15.0 | |
| 180 | ±15.0 | ||
| TTV（μm） | 200 | 30 | |
| 180 | 25 | ||
| 直线段的垂直度（verticality of side） | 90o±0.3o | ||
| 包装与储运 package and carriage | |||
| 包装（package） | 1盒400片；1箱1600片；1托48000片。 | ||
| 400pcs/box，1600pcs/case，48Kpcs/pallet | |||
| 储存（Storage） | 温度（temperature.）：10℃～40℃ | ||
| 湿度（humidity）：≤60% | |||
主导产品包括单晶硅生长炉、区熔炉、金刚石生长炉等光伏及半导体设备，直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品，光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低温SCR烟气脱硝催化剂。主导产品包括单晶硅生长炉、区熔炉、金刚石生长炉等光伏及半导体设备，直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品，光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低温SCR烟气脱硝催化剂。
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