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用途与特点： 用于高纯硅晶体生长，为晶体生长提供热量，局部温度可达2200℃以上
| 推荐牌号 | KBC13 |
| 密度（g/cm3） | ≥1.25 |
| 弯曲强度（MPa） | ≥60 |
| 热膨胀系数（10-6/℃） | <1.0 |
| 室温导热系数（W/(m• K)） | <10 |
| 室温电阻率（μΩ•m） | 20-45 |
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