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原材料: T2/C1100
结构: Hat (dimple);Forged; Stiffener Ring
成型工艺:冲压/CNC
平面度:<0.05
粗糙度:外观面Ra0.2-0.6;粘接面Ra2.0以上
性能参数: 热导率401(W/mK)25℃℃，线膨胀系数17.7(CTEppm/°C)，密度9.0(g/cm'镀层处理: 化学镀镍/电镀镍、镀层厚度2-10um
盐雾时间: 48hrs
高温考核:270°C30min
应用封装:用于个人计算机的和服务器的CPU封装，汽车设备的SOC/FPGA封装，通信设备的处理器封装，游戏系统处理器和图像处理器以及人工智能处理
醤等封装
材料特性:热导率高、价格便宜、成型容易，可做多种结构设计，可大批量生产
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