在第三代半导体碳化硅（SiC）赛道上，0.1μm 的精度误差可能导致良品率暴跌 15%，单晶圆成本激增数千元！从晶体生长到晶圆加工，每一道工序都在考验设备的精度极限。

2025年8月20-21日在江苏·苏州由中国粉体网主办的第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会现场，复拓科学仪器（苏州）有限公司携三大杀手锏级产品震撼亮相，直击行业痛点：

✅ 膜厚测量仪 Premier 50：精准到 Å 级的膜厚把控，告别外延层厚度不均导致的器件失效

✅ 光学表面形貌仪：纳米级粗糙度检测，让微缺陷无处遁形

✅ 晶圆厚度测量系统：±1μm 的厚度测量精度，解决翘曲超差引发的封装难题

🔥 三大主推产品，如何颠覆行业认知？

1️⃣ 膜厚测量仪 Premier 50—— 外延层的「纳米级标尺」

SiC 器件性能高度依赖外延层质量，但传统测量方式误差高达 ±5%，导致批次性良品率不足 70%！Premier 50 凭借光谱椭偏 + 激光干涉双技术融合，实现：

• 检测精度达 1Å：可分辨原子层厚度变化，确保外延层均匀性

• 测量速度提升 3 倍：单晶圆检测仅需 30 秒，适配产线高速需求

• 多膜层同步分析：一次测量获取 SiC/SiO₂/ 金属层等 5 层以上膜厚数据

  
  

2️⃣ 光学表面形貌仪 —— 缺陷检测的「纳米显微镜」

SiC 晶圆表面的微小凸起或凹陷，可能造成器件击穿电压下降 20%！复拓这款设备搭载白光干涉 + 共聚焦复合技术，做到：

• 粗糙度检测下限 0.1nm：精准捕捉原子级台阶高度差

• 3D 形貌实时重构：可视化呈现晶圆表面微观缺陷分布

• AI 缺陷智能分类：自动识别划痕、颗粒污染等 12 类常见缺陷

  
  

3️⃣ 晶圆厚度测量系统 —— 厚度控制的「微米级卫士」

晶圆厚度不均会导致封装应力集中，引发芯片失效！该系统采用多光束共焦测量技术，实现：

• ±1μm 厚度测量精度：全晶圆 2000 + 点位快速扫描

• 翘曲度实时监测：同步输出 TTV（总厚度变化）、局部厚度等 6 项关键参数

• 边缘盲区检测：攻克传统设备难以测量的晶圆边缘区域

📢 参会即享「三重硬核福利」，错过再等一年！

1️⃣ 零距离技术体验：现场操作三大设备，实测自家样品数据（限前 20 名预约）

2️⃣ 定制化解决方案：复拓专家团队一对一诊断产线精度问题，出具优化报告

3️⃣ 展会专属优惠：现场签约设备享折扣 + 年度校准服务

碳化硅器件成本每降低 10%，市场份额就能提升 20%！这是一场关乎企业未来 5 年竞争力的技术博弈。现在扫码联系会务组锁定席位！

会务组紧急通道

📞 段经理：13810445572（微信同号，备注「复拓」优先对接）

📩 邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

📍 坐标：苏州·白金汉爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）