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简介 ： 1.Na助溶剂液相外延生长2-4 英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。 2.助熔剂法（Na FLUX METHOD）生长氮化镓（GaN）单晶具有诸多优势是目前国际上公认的可实现高质量、大尺寸氮化镓体单晶产业化生产的生长技术之一。 3.双温区加热，**使用温度1000°C，**压力9 Mpa。 4.氮气溶解速度快，分布均匀，生长速度可达30 微米/小时。 5.可外延生长
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