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晶片尺寸:4/6/8英寸
Nafer size: 4/6/8 inches
ウェーハサイズ:4/6/8インチ
制程温度范围:300-2200℃
Maximum heater temperature: 2200℃
プロセス温度範囲:300-2200℃
加热器**温度:2200℃
Maximum heater temperature: 2200℃
ヒーター**温度:2200℃
控温段数:多段控温
Number of temperature control sections:
multisections temperature control
温度制御セクション数:多段階温度制御
炉腔压力:10MPa(**)
Chamber pressure:10MPa(Maximum)
炉室圧力:10MPa(**)
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