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多孔碳/石墨
通常用于Sic晶体生长以减少晶体缺陷。
高孔隙均匀性。
优化气体传输，提高晶体生长速度。
集中孔径分布。
总杂质少于1 ppm (GDMS)。
可以涂上TaC以提高抗硅腐蚀的能力
也可用于高温下的固/气相分离/气体分配。
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