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一．产品概述
VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
VGF坩埚为垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。
二．产品特点
纯度高达99.999%
与熔融金属不润湿
热导率可控，有效提高成晶率
优异的抗热震性
易清洗，可重复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应
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